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参数资料
| 型号： | AP6982GM |
| 厂商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 V, 0.018 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | LEAD FREE, SOP-8 |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | AP6982GM |
Advanced Power
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT
Electronics Corp.
MODE POWER MOSFET
▼
▼ Low On-resistance
CH-1
BVDSS
30V
▼
▼ Fast Switching Characteristic
RDS(ON)
18mΩ
▼
▼ Surface Mount Package
ID
8.5A
CH-2
BVDSS
30V
RDS(ON)
26mΩ
Description
ID
7.3A
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Rating
Units
CH-1
CH2
VDS
Drain-Source Voltage
30
V
VGS
Gate-Source Voltage
±25
V
ID@TA=25℃
Continuous Drain Current
3
8.5
7.3
A
ID@TA=70℃
Continuous Drain Current
3
6.8
5.8
A
IDM
Pulsed Drain Current
1
30
A
PD@TA=25℃
Total Power Dissipation
2.0
W
Linear Derating Factor
0.016
W/℃
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to 150
℃
TJ
Operating Junction Temperature Range
-55 to 150
℃
Symbol
Value
Unit
Rthj-a
Thermal Resistance Junction-ambient
3
Max.
62.5
℃/W
Data and specifications subject to change without notice
Parameter
201220042
Thermal Data
AP6982GM
Pb Free Plating Product
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, ultra low on-resistance and
cost-effectiveness.
S1
G1
S2
G2
D1
D2
SO-8
S1
G1
S2
G2
D1
D2
SO-8
G2
D2
S2
G1
D1
S1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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