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参数资料
| 型号： | AP9T18GJ |
| 厂商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 38 A, 20 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | AP9T18GJ |
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
AP9T18GH/J
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
N
o
rmalize
d
T
h
e
rmal
Re
spon
se
(
R
th
jc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
30
35
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rc
e
Voltage
(
V
)
I D =18A
V DS =10V
V DS =12V
V DS =16V
td(on) tr
td(off)t
f
VDS
VGS
10%
90%
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
100us
1ms
10ms
100ms
DC
T c =25
o C
Single Pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| APE9103ATN | MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, 1-5.5mT, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT |
| APE9103TN | MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, 1-5.5mT, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT |
| APE9105TN | MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, 1-4mT, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT |
| APG874.3T | 870 MHz - 960 MHz MOBILE STATION ANTENNA, 5.15 dBi GAIN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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