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参数资料
| 型号： | APL501J |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 43 A, 500 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | APL501J |
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents:
4,895,810
5,045,903
5,089,434
5,182,234
5,019,522
5,262,336
5,256,583
4,748,103
5,283,202
5,231,474
5,434,095
5,528,058
SOT-227 (ISOTOP) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
* Source
Drain
Gate
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
* Source
Source terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Source terminal.
ISOTOPis a Registered Trademark of SGS Thomson.
"UL Recognized" File No. E145592
APL501J
050-5903
Rev
D
2-2002
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APL502B2 | 58 A, 500 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APL502L | 58 A, 500 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APM3055LUC-TRG | 3 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| APM4472KC-TRG | 12 A, 40 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| APM4472KC-TRL | 12 A, 40 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APL501J_02 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APL501P | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APL502B2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 58A 3-Pin(3+Tab) T-MAX |
| APL502B2G | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APL502J | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:- 标准包装:10 系列:* |
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