| 型号: | APL5835DC-TU |
| 厂商: | ANPEC ELECTRONICS CORP |
| 元件分类: | 可调正电压单路输出LDO稳压器 |
| 英文描述: | 1.25 V-7 V ADJUSTABLE POSITIVE LDO REGULATOR, 1.45 V DROPOUT, PSSO3 |
| 封装: | EIAJ, SC-62, SOT-89, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/12页 |
| 文件大小: | 105K |
| 代理商: | APL5835DC-TU |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APM2506NU | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| APM4461 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| APPSA0441SURKWA | 14 SEG ALPHANUMERIC DISPLAY, HYPER RED, 10.16 mm |
| APT-DFDM-WB | FEMALE-MALE, RF STRAIGHT ADAPTER |
| APT2X60D80J | 60 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APL6 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Analog IC |
| APL602B2 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Volts:600V RDS(ON)0.125Ohms ID(cont):49Amps|Linear MOSFETs |
| APL602B2G | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APL602J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:- 标准包装:10 系列:* |
| APL602L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Volts:600V RDS(ON)0.125Ohms ID(cont):49Amps|Linear MOSFETs |