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参数资料
| 型号： | APM2095PD |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | APM2095PD |
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-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
-
D
Output Characteristics
R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
-I
D
- Drain Current (A)
Transfer Characteristics
-V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
-
D
-
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Gate Threshold Voltage
N
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0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
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12
-2V
-1.5V
V
GS
=-3,-4,-5,-6,-7,-8,-9,-10V
0
2
4
6
8
10
12
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
2
4
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T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
DS
=-250
μ
A
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