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参数资料
| 型号： | APM2103SG |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | APM2103SG |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2006
APM2103SG
www.anpec.com.tw
4
Typical Characteristics
I
D
-
Drain Current
T
j
- Junction Temperature (°C)
Safe Operation Area
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
Square Wave Pulse Duration (sec)
Power Dissipation
P
t
-
T
j
- Junction Temperature (°C)
I
D
-
N
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
T
A
=25
o
C
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T
A
=25
o
C,V
G
=-4.5V
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
50
Rso)Lm
1s
DC
T
A
=25
o
C
10ms
300
μ
s
1ms
100ms
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
2
Mounted on 1in
R
θ
JA
: 110
o
C/W
2
pad
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Single Pulse
Duty = 0.5
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