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参数资料
| 型号： | APM2301AAC-TU |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | APM2301AAC-TU |
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1E-4 1E-3
0.01
0.1
1
10
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1E-3
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1
2
Mounted on 1in
2
pad
R
θ
JA
: 150
o
C/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Single Pulse
Duty = 0.5
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-
D
-
Drain Current
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Safe Operation Area
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
Square Wave Pulse Duration (sec)
Power Dissipation
P
t
-
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
-
D
-
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.1
0.2
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1.0
T
A
=25
o
C
0
20
40
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80
100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
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2.5
3.0
3.5
T
A
=25
o
C,V
G
=-4.5V
0.1
1
10
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1
10
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Rdson Lmt
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A
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o
C
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μ
s
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100ms
DC
N
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PDF描述 |
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