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参数资料
| 型号： | APM2312A |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | APM2312A |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.2 - July., 2003
www.anpec.com.tw
4
APM2312
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-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
Typical Characteristics ( Cont.)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
-
)
I
D
=5A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
R
D
-
)
(
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
=4.5V
I
D
=5A
T
J
- Junction Temperature (°C)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
C
Ciss
Coss
Crss
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
V
G
-
V
DS
=10V
I
D
=1A
Frequency=1MHz
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PDF描述 |
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