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参数资料
| 型号： | APM2317A |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | APM2317A |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.1 - May., 2006
www.anpec.com.tw
5
APM2317A
R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
-I
D
- Drain Current (A)
T
j
- Junction Temperature (°C)
Gate Threshold Voltage
N
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
-
D
-
Output Characteristics
-V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
Typical Characteristics ( Cont.)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
D
= -4.5A
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
DS
= -250
μ
A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-1.5V
-2V
V
GS
= -3, -4, -5, -6, -7, -8, -9, -10V
0
3
6
9
12
15
18
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
GS
=4.5V
V
GS
=1.8V
V
GS
=2.5V
Drain-Source On Resistance
R
D
-
)
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PDF描述 |
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