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参数资料
| 型号： | APM2321A |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | APM2321A |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2003
www.anpec.com.tw
3
APM2321
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
3.6
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Typical Characteristics
-
D
D
Transfer Characteristics
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
-V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
Threshold Voltage vs. Junction Temperature
Tj - Junction Temperature (°C)
-
G
T
(
-I
DS
=250
μ
A
R
D
-
)
On-Resistance vs. Drain Current
-V
GS
=2.5V
-I
D
- Drain Current (A)
-V
GS
=4.5V
Output Characteristics
-
D
-
-V
GS
=4,5,6,7,8,9,10V
-V
GS
=3V
-V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-V
GS
=2V
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PDF描述 |
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