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参数资料
| 型号： | APM2322 |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | APM2322 |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Oct., 2003
www.anpec.com.tw
3
APM2322
0
1
2
3
4
5
6
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
0.32
0.36
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Typical Characteristics
I
D
D
Transfer Characteristics
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
Threshold Voltage vs. Junction Temperature
Tj - Junction Temperature (°C)
V
G
T
(
I
DS
=250
μ
A
R
D
-
)
On-Resistance vs. Drain Current
V
GS
=2.5V
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
=4.5V
V
GS
=2V
Output Characteristics
I
D
-
V
GS
=3,4,5,6,7,8,9,10V
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
6
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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