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参数资料
| 型号： | APM2322AC-TR |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | APM2322AC-TR |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Oct., 2003
www.anpec.com.tw
4
APM2322
0
4
8
12
16
20
0
40
80
120
160
200
1
2
3
4
5
6
7
8
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
Typical Characteristics ( Cont.)
R
D
-
(
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
=4.5V
I
Ds
=1.5A
T
J
- Junction Temperature (°C)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
C
Ciss
Coss
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
-
)
I
Ds
=1.5A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
V
G
-
Frequency=1MHz
Crss
R
ON
@Tj=25
°
C :195m
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
V
DS
=10 V
I
DS
= 1.5A
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