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参数资料
| 型号： | APM2505NUC-TRL |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | APM2505NUC-TRL |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.2 - Oct., 2005
www.anpec.com.tw
6
APM2505NU
Drain-Source On Resistance
N
T
j
- Junction Temperature (°C)
V
SD
- Source - Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward
I
S
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
C
Capacitance
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
V
G
Typical Characteristics ( Cont.)
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10
R
ON
@T
j
=25
o
C: 4m
V
GS
= 10V
I
DS
= 40A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1
10
60
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
Frequency=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0
15
30
45
60
75
90
0
2
4
6
8
10
V
DS
=15V
I
D
=40A
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PDF描述 |
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