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参数资料
| 型号： | APM2509NUB |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | APM2509NUB |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.1 - Jun., 2006
www.anpec.com.tw
5
APM2509NUB
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
DS
=250
μ
A
V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
I
D
-
Output Characteristics
R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
T
j
- Junction Temperature (°C)
Gate Threshold Voltage
Typical Characteristics ( Cont.)
N
0
20
40
60
80
100
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
3.5V
3V
2.5V
V
GS
=4,5,6,7,8,9,10V
Drain-Source On Resistance
R
D
-
)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
4
6
8
10
12
14
16
18
I
D
= 30A
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PDF描述 |
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参数描述 |
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