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参数资料
| 型号： | APM2509NUC-TR |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | APM2509NUC-TR |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.4 - Jul., 2005
www.anpec.com.tw
6
APM2509NU
Drain-Source On Resistance
N
T
j
- Junction Temperature (°C)
V
SD
- Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward
I
S
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
C
Capacitance
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
V
G
Typical Characteristics ( Cont.)
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
GS
= 10V
I
DS
= 30A
R
ON
@T
j
=25
o
C: 7.5m
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1
10
40
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
0
5
10
15
20
25
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Frequency=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0
5
10
15
20
25
30
35
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
=15V
I
D
= 30A
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PDF描述 |
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