参数资料
型号: APM2700CB1
厂商: Anpec Electronics Corporation
英文描述: Dual enhancement Mode MOSFET
中文描述: 双增强型MOS管
文件页数: 7/13页
文件大小: 166K
代理商: APM2700CB1
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1
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0.01
0.1
1
10
100
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0.1
1
2
Mounted on 1in
R
θ
JA
: 150
2
pad
o
C/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Single Pulse
Duty = 0.5
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-
D
-
Drain Current
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Safe Operation Area
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
Square Wave Pulse Duration (sec)
Power Dissipation
P
t
-
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
-
D
-
P-Channel
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.2
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1
10
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1
10
20
Rdson Lmt
1s
DC
T
A
=25
o
C
10ms
300
μ
s
1ms
100ms
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