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参数资料
| 型号： | APM2701CG |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual Enhancement Mode MOSFET (N and P-Channel) |
| 中文描述： | 双增强型MOS管（N和P沟道） |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | APM2701CG |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2006
www.anpec.com.tw
4
APM2701CG
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
0.01
0.1
1
2
Mounted on 1in
R
θ
JA
: 150
2
pad
o
C/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Single Pulse
Duty = 0.5
Typical Characteristics
I
D
-
Drain Current
T
j
- Junction Temperature (°C)
Safe Operation Area
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
Square Wave Pulse Duration (sec)
Power Dissipation
P
t
-
T
j
- Junction Temperature (°C)
I
D
-
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
N-Channel
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
50
Rd(on Lmt
1s
DC
T
A
=25
o
C
10ms
300
μ
s
1ms
100ms
N
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