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参数资料
型号： APM2801B
厂商： Anpec Electronics Corporation
英文描述： P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode
中文描述： P沟道增强型MOS管与肖特基二极管
文件页数： 7/11页
文件大小： 226K
代理商： APM2801B
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.4 - Jun., 2005
www.anpec.com.tw
7
APM2801B
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.01
0.1
1
6
T
A
=125
o
C
5
o
C
10
C
7
o
C
T
A
=25
o
C
Typical Characteristics ( Cont.)
SBD
0
3
V
R
- Reverse Voltage (V)
6
9
12
15
1E-7
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
150
o
C
100
o
C
75
o
C
50
o
C
T
A
=25
o
C
0
5
10
15
20
25
0
50
100
150
200
Frequency=1MHz
V
F
- Forward Voltage (V)
I
F
I
F
- V
F
I
R
- V
R
I
R
C
- V
R
V
R
- Reverse Voltage (V)
C
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