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参数资料
| 型号： | APM2801BC-TRL |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管与肖特基二极管 |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | APM2801BC-TRL |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.4 - Jun., 2005
www.anpec.com.tw
2
APM2801B
Absolute Maximum Rating s
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Electrical Characteristics
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Rating
Unit
[MOSFET]
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
Drain-Source Voltage
-20
Gate-Source Voltage
±10
V
Continuous Drain Current
-1.5
300
μ
s Pulsed Drain Current
Diode Continuous Forward Current
V
GS
=-4.5V
-6
A
-1
A
T
J
T
STG
Maximum Junction Temperature
150
Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
0.83
0.3
P
D
Maximum Power Dissipation
W
R
θ
JA
*
Thermal Resistance-Junction to Ambient
150
°C/W
[SBD]
V
RRM
I
FSM
Repetitive Peak Reverse Voltage
20
V
A
Maximum Peak Forward Surge Current
5.5
Note:
*Surface Mounted on 1in2 pad area, t
≤
10sec.
APM2801B
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
[MOSFET]
Static Characteristics
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage V
GS
=0V, I
DS
=-250
μ
A
-20
V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250
μ
A
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
V
GS
=-4.5V, I
DS
=-1.5A
-1
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
T
J
=85°C
-30
μ
A
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
I
GSS
Gate Leakage Current
-0.45
-0.6
-1
V
±100
nA
145
190
R
DS(ON)
a
Drain-Source On-state Resistance V
GS
=-2.5V, I
DS
=-1A
Diode Forward Voltage
180
235
m
V
SD
a
I
SD
=-0.5A , V
GS
=0V
-0.7
-1.3
V
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PDF描述 |
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