参数资料
型号: APM2801BC-TU
厂商: Anpec Electronics Corporation
英文描述: P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode
中文描述: P沟道增强型MOS管与肖特基二极管
文件页数: 10/11页
文件大小: 226K
代理商: APM2801BC-TU
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.4 - Jun., 2005
www.anpec.com.tw
10
APM2801B
Carrier Tape & R eel Dimensions
t
Ao
E
W
Po
P
Ko
Bo
D1
D
F
P1
Test item
Method
Description
SOLDERABILITY
HOLT
PCT
TST
MIL-STD-883D-2003
MIL-STD 883D-1005.7
JESD-22-B, A102
MIL-STD 883D-1011.9
245°C,5 SEC
1000 Hrs Bias @ 125°C
168 Hrs, 100% RH, 121°C
-65°C ~ 150°C, 200 Cycles
R eliability Test Prog ram
Table 1. SnPb Entectic Process – Package Peak Reflow Temperatures
Package Thickness
Volume mm
3
<350
240 +0/-5
°
C
225 +0/-5
°
C
Volume mm
3
3
350
225 +0/-5
°
C
225 +0/-5
°
C
<2.5 mm
2.5 mm
Table 2. Pb-free Process – Package Classification Reflow Temperatures
Package Thickness
Volume mm
3
<350
<1.6 mm
260 +0
°
C*
1.6 mm – 2.5 mm
260 +0
°
C*
2.5 mm
250 +0
°
C*
*Tolerance: The device manufacturer/supplier
shall
assure process compatibility up to and
including the stated classification temperature (this means Peak reflow temperature +0
°
C.
For example 260
°
C+0
°
C) at the rated MSL level.
Volume mm
3
350-2000
260 +0
°
C*
250 +0
°
C*
245 +0
°
C*
Volume mm
3
>2000
260 +0
°
C*
245 +0
°
C*
245 +0
°
C*
Classificatin R eflow Profiles( Cont.)
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