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参数资料
| 型号： | APM2801BC-TUL |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管与肖特基二极管 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | APM2801BC-TUL |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.4 - Jun., 2005
www.anpec.com.tw
5
APM2801B
R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
-I
D
- Drain Current (A)
T
j
- Junction Temperature (°C)
Gate Threshold Voltage
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
-
D
-
Output Characteristics
Transfer Characteristics
-V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
-
D
-
N
Typical Characteristics ( Cont.)
0
1
2
3
4
0
2
4
6
8
10
-2.5V
-2V
V
GS
= -3 thru -10V
0
2
4
6
8
10
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -4.5V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
0
1
2
3
4
5
6
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
DS
= -250
μ
A
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