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参数资料
| 型号： | APM3007NUC-TU |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | APM3007NUC-TU |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.2 - Oct., 2005
www.anpec.com.tw
6
APM3007NU
Drain-Source On Resistance
N
T
j
- Junction Temperature (°C)
V
SD
- Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward
I
S
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
C
Capacitance
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
V
G
Typical Characteristics ( Cont.)
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
GS
= 10V
I
DS
= 40A
R
ON
@T
j
=25
o
C: 5.5m
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
1
10
100
T
j
=-55
o
C
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
Frequency=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
=10V
I
DS
=40A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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