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参数资料
| 型号： | APM3020P |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 622K |
| 代理商： | APM3020P |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - July., 2002
APM3020P
www.anpec.com.tw
4
0
5
10
15
20
25
30
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0
2
4
6
8
10
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
Typical Characteristics Cont.
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
R
D
-
)
-V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-I
DS
=7A
On-Resistaence vs. Junction Temperature
R
D
-
)
(
T
j
-Junction Temperature (
°
C)
-V
GS
=10V
-I
DS
=11A
Gate Charge
Q
G
-Total Gate Charge (nC)
-
G
-
-V
DS
=15V
-I
DS
=4.6A
Capacitance Characteristics
-V
DS
-Drain-to-Source Voltage (V)
C
Crss
Coss
Ciss
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