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参数资料
| 型号： | APM3055LU |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | APM3055LU |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.3 - Oct., 2005
APM3055LU
www.anpec.com.tw
5
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
I
D
Output Characteristics
R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
I
D
- Drain Current (A)
Transfer Characteristics
V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
I
D
-
T
j
- Junction Temperature (°C)
Gate Threshold Voltage
N
Typical Characteristics ( Cont.)
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
3V
4V
5V
V
GS
= 6, 7, 8, 9, 10V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
4
8
12
16
20
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
=250
μ
A
0
4
8
12
16
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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