参数资料
型号: APM3095PUC-TU
厂商: Anpec Electronics Corporation
英文描述: P-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述: P沟道增强型MOS管
文件页数: 6/10页
文件大小: 188K
代理商: APM3095PUC-TU
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.2 - Oct., 2005
www.anpec.com.tw
6
APM3095PU
Drain-Source On Resistance
N
T
j
- Junction Temperature (°C)
-V
SD
- Source - Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward
-
S
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
C
Capacitance
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
-
G
Typical Characteristics ( Cont.)
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
GS
= -10V
I
DS
= -6A
R
ON
@T
j
=25
o
C: 95m
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
1
10
20
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Crss
Coss
Ciss
Frequency=1MHz
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
V
DS
=-10V
I
DS
= -6A
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