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参数资料
| 型号： | APM3095UC-TR |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | APM3095UC-TR |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Oct., 2002
www.anpec.com.tw
5
APM3095P
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
SINGLE PULSE
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
D=0.2
Duty Cycle=0.5
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
50
100
150
200
250
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1
10
Typical Characteristics
P
Single Pulse Power
Time (sec)
Square Wave Pulse Duration (sec)
Source-Drain Diode Forward Voltage
-
S
-
T
J
=150°C
T
J
=25°C
-V
SD
-Source-to-Drain Voltage (V)
N
T
Normalized Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
1.Duty Cycle, D=t1/t2
2.Per Unit Base=R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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