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参数资料
| 型号： | APM4220 |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | APM4220 |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Aug., 2002
APM4220
www.anpec.com.tw
5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
30
0.01
0.1
1
2
Duty Cycle=0.
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
0.01
0.1
1
10
30
0
20
40
60
80
0.0
V
SD
-Source to Drain Voltage (V)
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.1
1
10
16
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
Typical Characteristics ( Cont.)
I
S
-
Source-Drain Diode Forward Voltage
Single Pulse Power
P
Time (sec)
Normalized Transient Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
N
T
Square Wave Pulse Duration (sec)
1. Duty Cycle , D=t1/t2
2. Per Unit Base=R
thJA
=50
°
C/W
3. T
-T
=P
Z
4. Surface Mounted
SINGLE PULSE
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