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参数资料
| 型号： | APM4230KC-TR |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | APM4230KC-TR |
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V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
I
D
-
Output Characteristics
R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
I
D
- Drain Current (A)
Transfer Characteristics
V
GS
- Gate-Source Voltage (V)
I
D
-
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Gate Threshold Voltage
N
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
2V
2.5V
3V
V
GS
= 4,5,6,7,8,9,10V
0
1
2
3
4
0
10
20
30
40
50
60
T
j
=-55
o
C
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
DS
=250
μ
A
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
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PDF描述 |
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