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参数资料
| 型号： | APM4230KC-TU |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | APM4230KC-TU |
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1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
1E-3
0.01
0.1
1
2
Mounted on 1in
2
pad
R
θ
JA
: 62.5
o
C/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Single Pulse
Duty = 0.5
() !
Power Dissipation
P
t
-
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
I
D
-
Drain Current
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Safe Operation Area
V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
I
D
N
Thermal Transient Impedance
Square Wave Pulse Duration (sec)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T
A
=25
o
C
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
3
6
9
12
15
T
A
=25
o
C,V
G
=10V
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
Rd(n Lmt
1s
T
A
=25
o
C
10ms
300
μ
s
1ms
100ms
DC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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