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参数资料
| 型号： | APM4350KPC-TU |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | APM4350KPC-TU |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2006
www.anpec.com.tw
4
APM4350KP
Typical Characteristics
I
D
-
Drain Current
T
j
- Junction Temperature (°C)
Safe Operation Area
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
Square Wave Pulse Duration (sec)
Power Dissipation
P
t
-
T
j
- Junction Temperature (°C)
I
D
-
N
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
2
Mounted on 1in
R
θ
JA
:50
2
pad
o
C/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Single Pulse
Duty = 0.5
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
10
20
30
40
50
60
T
C
=25
o
C
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
10
20
30
40
50
60
70
T
C
=25
o
C,V
G
=10V
0.1
1
10
80
0.1
1
10
100
400
T
C
=25
o
C
1ms
1s
10ms
100ms
DC
Rd(on Lm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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