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参数资料
| 型号： | APM4412K |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | APM4412K |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.1 - S ep., 2005
www.anpec.com.tw
5
APM4412K
R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
I
D
- Drain Current (A)
T
j
- Junction Temperature (°C)
Gate Threshold Voltage
V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
I
D
-
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
I
D
-
N
Typical Characteristics ( Cont.)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
3.5V
3V
V
GS
= 4,5,6,7,8,9,10V
0
9
18
27
36
45
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
DS
=250
μ
A
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PDF描述 |
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