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参数资料
| 型号： | APM9932CKC-TRL |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) |
| 中文描述： | 双增强型MOS管（N沟道和P沟道） |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | APM9932CKC-TRL |
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V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
Drain-Source On Resistance
N
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
C
V
SD
- Source - Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward
I
S
Capacitance
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
V
G
'(#$%&
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
R
ON
@T
j
=25
o
C: 12m
V
GS
= 4.5V
I
DS
= 9A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1
10
20
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
0
4
8
12
16
20
0
400
800
1200
1600
2000
Frequency=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
V
DS
=10 V
I
D
= 6 A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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