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参数资料
| 型号： | APM9932CKC-TU |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) |
| 中文描述： | 双增强型MOS管（N沟道和P沟道） |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | APM9932CKC-TU |
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D
-
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Drain-Source On Resistance
-I
D
- Drain Current (A)
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
-
D
-
Output Characteristics
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Gate Threshold Voltage
Transfer Characteristics
-V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
-
D
-
N
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
-2V
V
GS
= -2.5, -3, -4, -5, -6, -7, -8, -9, -10V
0
2
4
6
8
10
10
20
30
40
50
60
70
80
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -4.5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
DS
= -250
μΑ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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