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参数资料
| 型号： | APM9935KC-TRL |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | APM9935KC-TRL |
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R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
-I
D
- Drain Current (A)
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Gate Threshold Voltage
N
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
-
D
-
Output Characteristics
Transfer Characteristics
-V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
-
D
-
'("#$"%&
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-1.5V
-2V
V
GS
= -3, -4, -5, -6, -7, -8, -9, -10V
0
4
8
12
16
20
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -4.5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
I
DS
= -250
μ
A
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PDF描述 |
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