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参数资料
| 型号： | APM9935KC-TU |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | APM9935KC-TU |
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-V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
Drain-Source On Resistance
N
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
C
-V
SD
- Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward
-
S
Capacitance
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
-
G
'("#$"%&
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
R
ON
@T
j
=25
o
C: 30m
V
GS
= -4.5V
I
DS
= -6A
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0.2
0.4
0.6
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1.0
1.2
1.4
0.1
1
10
20
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
0
4
8
12
16
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0
500
1000
1500
2000
2500
Frequency=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
V
DS
= -10V
I
D
= -6A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APM9945KC-TR | 制造商:ANPEC 制造商全称:Anpec Electronics Coropration 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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