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参数资料
| 型号： | APM9945KC-TR |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | APM9945KC-TR |
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10 30
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1
2
Mounted on 1in
2
pad
R
θ
JA
: 62.5
o
C/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Single Pulse
Duty = 0.5
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I
D
-
Drain Current
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Safe Operation Area
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
Square Wave Pulse Duration (sec)
Power Dissipation
P
t
-
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
I
D
-
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
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0
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2
3
4
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1
10
100
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0.1
1
10
50
Rso)Lmt
1s
T
A
=25
o
C
10ms
300
μ
s
1ms
100ms
DC
N
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| APM9945KC-TU | 制造商:ANPEC 制造商全称:Anpec Electronics Coropration 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| APM9945KC-TUL | 制造商:ANPEC 制造商全称:Anpec Electronics Coropration 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| APM9953 | 制造商:ANPEC 制造商全称:Anpec Electronics Coropration 功能描述:P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| APM9953K | 制造商:ANPEC 制造商全称:Anpec Electronics Coropration 功能描述:Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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