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参数资料
| 型号： | APM9953K |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | APM9953K |
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,
!"#$"%&
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
APM9953
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Dynamic Characteristics
b
R
G
Gate Resistance
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
t
d(ON)
Turn-on Delay Time
T
r
Turn-on Rise Time
t
d(OFF)
Turn-off Delay Time
T
f
Turn-off Fall Time
Notes:
a : Pulse test ; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b : Guaranteed by design, not subject to production testing.
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
10.5
550
120
V
GS
=0V,
V
DS
=-15V,
Frequency=1.0MHz
75
pF
13
21.5
36
56
45
69.5
V
DD
=-10V, R
L
=10
,
I
DS
=-1A, V
GEN
=-4.5V,
R
G
=6
37
57.5
ns
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APM9953KC-TRL | 制造商:ANPEC 制造商全称:Anpec Electronics Coropration 功能描述:Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| APM9953KC-TU | 制造商:ANPEC 制造商全称:Anpec Electronics Coropration 功能描述:P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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