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参数资料
| 型号： | APM9953KC-TRL |
| 厂商： | ANPEC ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 3 A, 20 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | APM9953KC-TRL |
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-
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
1E-3
0.01
0.1
1
2
Mounted on 1in
2
pad
R
θ
JA
: 62.5
o
C/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Single Pulse
Duty = 0.5
'("#
-
D
Drain Current
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Safe Operation Area
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
Square Wave Pulse Duration (sec)
Power Dissipation
P
t
-
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
-
D
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T
A
=25
o
C
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
1
2
3
4
T
A
=25
o
C,V
G
=-10V
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
50
Rdson Lmt
1s
T
A
=25
o
C
10ms
1ms
100ms
DC
N
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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