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参数资料
| 型号： | APM9966 |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | APM9966 |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.3 - Mar., 2003
www.anpec.com.tw
7
APM9966/ C
Typical Characteristics ( Cont.)
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Normalized Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
1.Duty Cycle, D=t1/t2
2.Per Unit Base=R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
Duty Cycle=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
SINGLE PULSE
30
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PDF描述 |
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