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参数资料
| 型号： | APM9966CO |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | APM9966CO |
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-
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
1E-3
0.01
0.1
1
2
Mounted on 1in
2
pad
R
θ
JA
: 100
o
C/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Single Pulse
Duty = 0.5
%&!
I
D
-
Drain Current
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Safe Operation Area
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
N
Thermal Transient Impedance
Square Wave Pulse Duration (sec)
Power Dissipation
P
t
-
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
I
D
-
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
A
=25
o
C
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
2
4
6
8
T
A
=25
o
C,V
G
=4.5V
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
300
μ
s
1ms
Rso)Lm
1s
DC
T
A
=25
o
C
10ms
100ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| APM9966COC-TUL | 制造商:ANPEC 制造商全称:Anpec Electronics Coropration 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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