型号: | APT1001R3AN |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 8.5 A, 1000 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 558K |
代理商: | APT1001R3AN |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT1002R4CN | 5 A, 1000 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
APT1004R2GN | 3 A, 1000 V, 4.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257 |
APT802R4CN | 4.5 A, 800 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
APT5085GN | 7 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257 |
APT1001R1HN | 9.5 A, 1000 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT1001R3BN | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
APT1001R3HN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-258ISO |
APT1001R6BFLL | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R FREDFET |
APT1001R6BFLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 7® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT1001R6BN | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |