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参数资料
| 型号： | APT1001R6BN-BUTT |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | APT1001R6BN-BUTT |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT901R6BN-GULLWING | 8 A, 900 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT901R6BN-BUTT | 8 A, 900 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1001R6BN-GULLWING | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1001R6BN | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT1001R6SLL | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT1001R6SFLL | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R FREDFET |
| APT1001R6SFLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A D3PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 7® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT1001RAN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-3 |
| APT1001RBLC | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs |
| APT1001RBN | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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