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参数资料
| 型号： | APT1001RBN-BUTT |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | APT1001RBN-BUTT |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT901RBN-GULLWING | 11 A, 900 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1001RBN-GULLWING | 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT901RBN-BUTT | 11 A, 900 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1001RBN | 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT1001RBVR | 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT1001RBNR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247AD |
| APT1001RBVFR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET |
| APT1001RBVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 11A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT1001RBVR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT1001RBVRG | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 11A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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