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参数资料
| 型号： | APT1002RBNR-GULLWING |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 7 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | APT1002RBNR-GULLWING |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT1002RBNR-BUTT | 7 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1002R4BNR-GULLWING | 6.5 A, 1000 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1002RBNR | 7 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT1002R4BNR | 6.5 A, 1000 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT1002RCN | 5.5 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT1002RCN | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APT1002RDN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | CHIP |
| APT10030L2VFR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10030L2VFR_04 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10030L2VFRG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET - MOS5 - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET TRANSISTOR |
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