型号: | APT100GF60JR |
厂商: | Advanced Power Technology Ltd. |
英文描述: | The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
中文描述: | 该快速IGBT是一种高压IGBT的新一代。 |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 62K |
代理商: | APT100GF60JR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT100GF60JRD | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
APT100GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT100GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT100GF60LR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
APT100GLQ65JU2 | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 |