- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36702 > APT100GF60JU3 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT100GF60JU3 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 447K |
| 代理商： | APT100GF60JU3 |
APT100GF60JU3
A
PT
100G
F60J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4- 9
Typical IGBT Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
Tc=-55°C
Tc=25°C
Tc=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
01234
Ic
,C
o
lle
ct
o
r
C
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
Tc=-55°C
Tc=25°C
Tc=125°C
0
50
100
150
200
250
300
01234
Ic,
Co
ll
ect
o
rCu
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
012
3456789
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic,
C
o
lle
ct
o
rCu
rr
en
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=200A
Ic=100A
Ic=50A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,C
o
lle
ct
or
to
E
m
it
te
r
V
o
lt
a
g
e(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=200A
Ic=100A
Ic=50A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
ct
or
t
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
Co
lle
ct
or
t
o
E
m
it
te
r
Bre
ak
dow
n
Vo
lt
ag
e(N
o
rma
liz
ed
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,DC
Col
le
ct
o
r
Cu
rre
nt
(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
a
te
to
E
m
it
ter
V
o
lt
a
g
e
(V
)
IC = 100A
TJ = 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT100GN60B2 | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60B2G | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60B2 | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60LDQ4 | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT100GN60LDQ4G | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT100GF60LR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT100GLQ65JU2 | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 |
| APT100GLQ65JU3 | 功能描述:IGBT 600V 100A 430W ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，1000A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 |
| APT100GN120B2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT100GN120B2G | 功能描述:IGBT 1200V 245A 960W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。