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参数资料
型号： APT100GF60LR
厂商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
中文描述： 该快速IGBT是一种高压IGBT的新一代。
文件页数： 2/3页
文件大小： 62K
代理商： APT100GF60LR
Turn-off Switching Energy
INFORMATION
Total Switching Losses
0
APT100GF60JR
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
3
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector ("Miller") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Switching Energy
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Switching Losses
Forward Transconductance
Test Conditions
Capacitance
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1 MHz
Gate Charge
V
GE
= 15V
V
CC
= 0.5V
CES
I
C
= I
C2
Resistive Switching (25°C)
V
GE
= 15V
V
CC
= 0.66V
CES
C
= I
C2
G
= 10
W
Inductive Switching (150°C)
V
CLAMP
(Peak)
= 0.66V
CES
V
GE
= 15V
C
= I
C2
R
G
= 10
W
T
J
= +150°C
Inductive Switching (25°C)
V
CLAMP
(Peak)
= 0.66V
CES
V
GE
= 15V
I
C
= I
C2
R
G
= 10
W
T
J
= +25°C
V
CE
= 20V, I
C
= I
C2
MIN
TYP
MAX
4400
480
300
335
40
195
50
200
190
270
50
170
400
95
6.3
5.2
11.5
55
180
365
90
10.5
6
UNIT
pF
nC
ns
ns
mJ
ns
mJ
S
UNIT
°C/W
oz
gm
lbin
Nm
MIN
TYP
MAX
0.32
40
1.03
29.2
10
1.5
Characteristic
Junction to Case
Junction to Ambient
Package Weight
Mounting Torque (
using a 6-32 or 3mm Binding Head Machine Screw
)
Symbol
R
Q
JC
R
Q
JA
W
T
Torque
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
Symbol
C
ies
C
oes
C
res
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
E
ts
gfe
1
Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
I
C
= I
C2
,
R
GE
= 25
W
,
L = 17μH, T
j
= 25°C
2
3
See MIL-STD-750 Method 3471
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
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