- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36703 > APT100GN60LDQ4 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT100GN60LDQ4 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封装： | TO-264, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 448K |
| 代理商： | APT100GN60LDQ4 |
050-7622
Rev
A
10-2005
APT100GN60LDQ4(G)
TJ =125°C
VR=400V
50A
100A
200A
Duty cycle = 0.5
TJ =175°C
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Q
rr,
REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
T
J = 175°C
TJ =125°C
VR=400V
100A
50A
200A
300
250
200
150
100
50
0
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
TJ =125°C
VR=400V
200A
100A
50A
300
250
200
150
100
50
0
60
50
40
30
20
10
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
Q
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
t
rr
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 29. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT100GT120JRDLG | 123 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GT60LRG | 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT100GT60B2R | 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT100GT60LR | 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT106N60B2C6 | 106 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT100GN60LDQ4G | 功能描述:IGBT 600V 229A 625W TO264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT100GT120JR | 功能描述:IGBT 1200V 123A 570W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT100GT120JRDL | 功能描述:IGBT 1200V 123A 570W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT100GT120JRDQ4 | 功能描述:IGBT 1200V 123A 570W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT100GT120JU2 | 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。