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参数资料
| 型号： | APT10GT60BR |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | APT10GT60BR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT10M11B2VR | 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10M11JVRU3 | 142 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10M11LVR | 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT10M11LVR | 100 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT11058JFLL | 18 A, 1100 V, 0.58 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT10GT60KR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| APT10M07 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10M07JVFR | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 225A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS V® 标准包装:10 系列:* |
| APT10M07JVR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4-Pin SOT-227 |
| APT10M09B2VFR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET |
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