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参数资料
| 型号： | APT13GP120SG |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-268, D3PAK-3 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 407K |
| 代理商： | APT13GP120SG |
050-7412
Rev
E
1-2006
APT13GP120B_S(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
3,000
1,000
500
100
50
10
1
60
50
40
30
20
10
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800
1000
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
5
10
15
20
25
30
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = XXXV
RG = 5
181
100
50
10
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
C
res
C
oes
C
ies
0.216
0.284
0.006F
0.161F
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (°C)
Case temperature. (°C)
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT13GP120BG | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT13GP120BG | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT13GP120S | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA |
| APT13GP120S | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA |
| APT13GP120SG | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA |
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